IGBT和MOS管的区别
igbt和mos怎么区别？
首先一个从外形上面区别：IGBT绝大多数是TO-3P封装，要大一些。MOS管大部分为TO220封装要小一些。（当然不能说绝对）其次如果从元件内部去分析。一般IGBT，里面是内置有一颗快恢复二极管，而MOS管一般没有。所以IGBT一般是有两个晶圆的，MOS只有一个。可以看电路图和参数说明。希望以上可以帮到你。
IGBT单管和MOS管的区别，MOSFET是MOS吗？
单管是只有一个管芯的IGBT或MOSFET；单管的电流一般比较小，50A以下；模块是在内部并联了若干个管芯的IGBT或MOSFET；模块的电流可以做得很大，可以达到数百甚至上千A。快恢复管也是同样。至于可控硅则不用模块技术，因为可控硅单管关心就可以做到很大的电流。
IGBT和MOS焊机的优区别？
MOS管：管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
IGBT焊机：将三相或单相工频交流电整流，经滤波后得到一个较平滑的直流电，由IGBT组成的逆变电路将该直流电变为几十KHZ的交流电，经主变压器降压后，再经整流滤波获得平稳的直流输出焊接电流。
igbt和mos管哪个容易驱动？
各有优劣，根据实际情况选择。
IGBT是达林顿结构，MOS不是。IGBT和MOS都需要一定的门槛电压（VGSth）来触发打开但是由于IGBT的达林顿结构导致寄生电容偏大，故需要一定的门极驱动能力，MOS相对较小。
相对的，IGBT的开关频率普遍较低（30~50K以下）而电流较大（可达1000A）。MOSFET的开关频率可达500K，而RMS电流普遍较低（一般不超过100A）
igbt和mosfet的区别？
MOSFET和IGBT内部结构不同，
决定了其应用领域的不同。
1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。
2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ，射频领域的产品。
3. 就其应用，根据其特点：MOSFET应用于开关电源，镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域。IGBT集中应用于焊机、逆变器,变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域 。
