中国半导体光刻设备研究达到了什么水平?
2022-10-27
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芯片制造的工艺流程很长,光刻是其中最为关键的一步,由上海微电子生产的SSA600/20国产前道光刻机目前还只能达到90nm工艺。
虽然半导体第一大设备光刻机中国只能依赖向ASML进口,但值得注意的是,在半导体第二大设备「刻蚀机」上,中国已经达到了世界顶尖的水平。
2004年,一直在美国硅谷从事半导体行业,并且曾担任美国应用材料公司副总裁的尹志尧归国创办「中微半导体」,3年后团队研发的7nm刻蚀机开始打破国外垄断的局面。
尹志尧的前东家应用材料和科林认为中微侵犯了它们的知识产权并提起诉讼,但中微提供的关键证据证明自己用的并非是另外两家的技术;在中微赢得专利公司以后,美国商业部于2015年发布公告,把等离子刻蚀机从禁售名单中移除。