堆栈式cmos(堆栈式cmos和背照式哪个好)-稻草人资讯

背照式摄像头是什么意思

一些手机制造厂商在发布旗舰手机时通常会强调该机采用的是一颗背照式摄像头或者是堆栈式摄像头，而那么背照式CMOS传感器正是提升智能手机拍摄实力的最大“功臣”。

那么背照式摄像头什么意思呢?接下来就让我们一起来了解下吧。

背照式摄像头什么意思

在传统摄像头感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。

所谓背照式摄像头就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。

背照式摄像头将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。

这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用。

背照式摄像头主要特点

传统感光芯片上层的线路连接层还会出现光线的反射，影响到达光电二极管的光线强度，从而使传感器的受光量减少。

在一般的情况下，传统型摄像头传感器在低光环境下难以拍摄出明亮、清晰、质量好的照片。

相比普通的传感器，背照式传感器则显得更薄，具有更佳的画质和更低的噪点等特性。

背照式传感器把感光层与基质的位置互换，直接与透光面接触，减少了中间环节光线的损失，并且在透光面上每个对应的像素表面都改为透镜的`形式，更集中地汇聚了外界的光线到对应的像素点上，减少了像素之间多余的光线干扰。

背照式摄像头实际应用

在背照式CMOS摄像头普及之前，手机采用的都是传统的CMOS传感器。

这些传统的CMOS有个非常明显的短板，当通过摄像头回路的电流发生变化时，它们容易产生热量，从而造成画面比较容易出现杂点，最终影响相机的成像质量。

随着科技生产力的进步，日本SONY公司于08年中旬正式推出了背照式CMOS传感器，改善了传统CMOS一系列的缺点。

背照式CMOS通常也被称为“BSI”，采用了背照式CMOS的相机夜间拍摄实力更为强悍，目前已获得各大智能手机厂商的认可，例如小米手机、苹果iPhone5s、魅族MX3等手机都采用了背照式CMOS摄像头。

什么是背照式摄像头

背照式cmos传感器　　在传统CMOS感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。

所谓背照式CMOS就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。

索尼的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor R，首先在DV摄像机中得到应用。

Exmor R CMOS背面照明技术感光元件，改善了传统CMOS感光元件的感光度。

Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术，由于不受金属线路和晶体管的阻碍，开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）可提高至近100%。

与其以往1.75μm间隔的表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度（S/N）上具有很大优势。

编辑本段Exmor R CMOS的优势　　传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。

CCD的单个像素点不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前CCD仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，A/D转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部分，影响不大，因此CMOS传感器也得到了广泛的应用。

而Exmor R CMOS将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。

这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。

相比较之下，传统的表面照射型CMOS传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。

同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。

而Exmor R背照式CMOS传感器解决了这样的问题。

之前有国外消息指出，尼康旗舰机皇微单Z 9可能将于11月底或者12月发布，而目前有更进一步消息曝光，Z 9可能将会搭载4500万像素堆栈式CMOS，并具备最高30fps的连拍速度。

目前官方确定的尼康Z 9规格如下：· FX格式堆栈式CMOS...。